多層膜や超微粒子等の微細構造を容易に観察することができる。冷陰極電界放出形電子銃採用。 2種(SEI, LEI)の二次電子検出器、半導体反射電子検出器を搭載しているので、目的に応じて選択可能。鉄系試料は導入時に注意が必要。ｴﾈﾙｷﾞｰ分散型Ｘ線分析装置付属（検出元素B～U）。
[二次電子像分解能] 1nm (15kV), .2nm (1kV)